IKW50N65ES5XKSA1 IGBT ٽرانسسٽر انڊسٽري 14
♠ پيداوار جي وضاحت
| پيداوار جي خاصيت | خاصيت جو قدر |
| ٺاهيندڙ: | انفينون |
| پيداوار جو درجو: | IGBT ٽرانسسٽرز |
| ٽيڪنالاجي: | Si |
| پيڪيج / ڪيس: | TO-247-3 |
| چڙهڻ جو انداز: | سوراخ ذريعي |
| ٺاھ جوڙ: | اڪيلو |
| ڪليڪٽر- ايمٽر وولٽيج VCEO وڌ ۾ وڌ: | 650 V |
| ڪليڪٽر-Emitter Saturation وولٹیج: | 1.35 V |
| وڌ ۾ وڌ گيٽ Emitter وولٹیج: | 20 V |
| 25 C تي مسلسل ڪليڪٽر ڪرنٽ: | 80 اي |
| Pd - پاور ڊسپيشن: | 274 W |
| گھٽ ۾ گھٽ آپريٽنگ گرمي پد: | - 40 سي |
| وڌ ۾ وڌ آپريٽنگ گرمي پد: | + 175 سي |
| سلسلو: | TRENCHSTOP 5 S5 |
| پيڪنگنگ: | ٽيوب |
| برانڊ: | Infineon ٽيڪنالاجيز |
| گيٽ ايميٽر ليڪج ڪرنٽ: | 100 اين |
| اوچائي: | 20.7 ملي ميٽر |
| ڊگھائي: | 15.87 ملي ميٽر |
| پيداوار جو قسم: | IGBT ٽرانسسٽرز |
| فيڪٽري پيڪ مقدار: | 240 |
| ذيلي زمرو: | IGBTs |
| واپار جو نالو: | ٽرنچ اسٽاپ |
| ويڪر: | 5.31 ملي ميٽر |
| حصو # عرف: | IKW50N65ES5 SP001319682 |
| يونٽ وزن: | 0.213537 اوز |
هاء اسپيڊ ايس 5 ٽيڪنالاجي پيش ڪرڻ
• هارڊ ۽ نرم سوئچنگ لاءِ تيز رفتار سموٿ سوئچنگ ڊيوائس
• Very LowVCEsat، 1.35Vatnominalcurrent
• پوئين نسل جي آئي بي ٽيز جي پلگنڊ کيڏڻ
•650V breakdownvoltage
• LowgatechargeQG
IGBTcopacked with fullrated RAPID1fastantiparalleldiode
• وڌ کان وڌ ڪم ڪندڙ گرمي پد 175 ° سي
• JEDEC ھدف جي ايپليڪيشنن جي مطابق
• Pb-freeleadplating؛ RoHS مطابقت رکندڙ
• مڪمل پراڊڪٽ اسپيڪٽر ۽ پي ايس اسپيس ماڊل: http://www.infineon.com/igbt/
• Resonant Converters
• اڻ رڪاوٽ بجلي جي فراهمي
• ويلڊنگ ڪنورٽرز
• مڊٽو هاء رينج سوئچنگ فريڪوئنسي ڪنورٽرز
