VNB35NV04TR-E پاور سوئچ ICs - پاور ڊسٽريبيوشن N-Ch 70V 35A OmniFET
♠ پيداوار جي وضاحت
| پيداوار جي خاصيت | خاصيت جو قدر |
| ٺاهيندڙ: | ايس ٽي مائڪرو اليڪٽرانڪس |
| پيداوار جو درجو: | پاور سوئچ ICs - پاور تقسيم |
| قسم: | گھٽ طرف |
| ٻاھرين جو تعداد: | 1 ٻاھر نڪتو |
| موجوده حد: | 30 اي |
| مزاحمت تي - وڌ ۾ وڌ: | 13 ايم ايڇ |
| وقت تي - وڌ ۾ وڌ: | 500 اين |
| بند وقت - وڌ ۾ وڌ: | 3 اسان |
| آپريٽنگ سپلائي وولٹیج: | 24 وي |
| گھٽ ۾ گھٽ آپريٽنگ گرمي پد: | - 40 سي |
| وڌ ۾ وڌ آپريٽنگ گرمي پد: | + 150 سي |
| چڙهڻ جو انداز: | SMD/SMT |
| پيڪيج / ڪيس: | D2PAK-2 |
| سلسلو: | VNB35NV04-E |
| قابليت: | AEC-Q100 |
| پيڪنگنگ: | ريلي |
| پيڪنگنگ: | ڪٽ ٽيپ |
| پيڪنگنگ: | ماؤس ريل |
| برانڊ: | ايس ٽي مائڪرو اليڪٽرانڪس |
| نمي حساس: | ها |
| Pd - پاور ڊسپيشن: | 125 W |
| پيداوار: | لوڊ سوئچ |
| پيداوار جو قسم: | پاور سوئچ ICs - پاور تقسيم |
| فيڪٽري پيڪ مقدار: | 1000 |
| ذيلي زمرو: | ICs کي تبديل ڪريو |
| يونٽ وزن: | 0.066315 اوز |
♠ OMNIFET II: مڪمل طور تي خود حفاظتي پاور MOSFET
VNB35NV04-E, VNP35NV04-E ۽ VNV35NV04-E واحد ڊوائيسز آهن جيڪي STMicroelectronics® VIPower® M0-3 ٽيڪنالاجي ۾ ٺهيل آهن، جن جو مقصد معياري پاور MOSFETs کي DC کان 25 kHz تائين جي ايپليڪيشنن جي بدلي لاءِ آهي.
بلٽ ان تھرمل شٽ ڊائون، لڪير موجوده حد ۽ اوور وولٽج ڪلمپ سخت ماحول ۾ چپ جي حفاظت ڪن ٿا.ان پٽ پن تي وولٹیج جي نگراني ڪندي غلطي جي راءِ کي ڳولي سگھجي ٿو.
• لڪير موجوده حد
• حرارتي بند
• مختصر سرڪٽ تحفظ
• مربوط ڪلمپ
• ان پٽ پن مان ٺهيل گھٽ ڪرنٽ
• ان پٽ پن ذريعي تشخيصي موٽ
• ESD تحفظ
• پاور MOSFET جي دروازي تائين سڌو رسائي (اينالاگ ڊرائيونگ)
• معياري پاور MOSFET سان مطابقت
![LTM4644IY سوئچنگ وولٹیج ريگيوليٽر [Tin-Lead SnPb BGA] Quad 14VIN، 4A اسٽيپ-ڊائون uModule ريگيوليٽر ترتيب ڏيڻ واري آئوٽ پٽ سري سان](http://cdn.globalso.com/shinzoic/1672199144580-300x300.jpg)