VNB35N07TR-E پاور سوئچ ICs - پاور ڊسٽريبيوشن OMNIFETII مڪمل طور تي خودڪار حفاظت Pwr MOSFET
♠ پيداوار جي وضاحت
| پيداوار جي خاصيت | خاصيت جو قدر |
| ٺاهيندڙ: | ايس ٽي مائڪرو اليڪٽرانڪس |
| پيداوار جو درجو: | پاور سوئچ ICs - پاور تقسيم |
| قسم: | گھٽ طرف |
| ٻاھرين جو تعداد: | 1 ٻاھر نڪتو |
| موجوده حد: | 35 اي |
| مزاحمت تي - وڌ ۾ وڌ: | 28 ايم ايڇ |
| وقت تي - وڌ ۾ وڌ: | 200 اين |
| بند وقت - وڌ ۾ وڌ: | 1 اسان |
| آپريٽنگ سپلائي وولٹیج: | 28 V |
| گھٽ ۾ گھٽ آپريٽنگ گرمي پد: | - 40 سي |
| وڌ ۾ وڌ آپريٽنگ گرمي پد: | + 150 سي |
| چڙهڻ جو انداز: | SMD/SMT |
| پيڪيج / ڪيس: | D2PAK-3 |
| سلسلو: | VNB35N07-E |
| قابليت: | AEC-Q100 |
| پيڪنگنگ: | ريلي |
| پيڪنگنگ: | ڪٽ ٽيپ |
| پيڪنگنگ: | ماؤس ريل |
| برانڊ: | ايس ٽي مائڪرو اليڪٽرانڪس |
| نمي حساس: | ها |
| Pd - پاور ڊسپيشن: | 125000 ميگاواٽ |
| پيداوار جو قسم: | پاور سوئچ ICs - پاور تقسيم |
| فيڪٽري پيڪ مقدار: | 1000 |
| ذيلي زمرو: | ICs کي تبديل ڪريو |
| يونٽ وزن: | 0.079014 اوز |
♠ OMNIFET: مڪمل طور تي خودڪار حفاظتي پاور MOSFET
VNP35N07-E، VNB35N07-E ۽ VNV35N07-E هڪ واحد ڊوائيس آهن جيڪي STMicroelectronics VIPower® ٽيڪنالاجي استعمال ڪندي ٺاهيا ويا آهن، جن جو مقصد معياري پاور MOSFETs کي DC ۾ 50 KHz ايپليڪيشنن ۾ تبديل ڪرڻ آهي.
بلٽ ان تھرمل شٽ ڊائون، لڪير موجوده حد ۽ اوور وولٽج ڪلمپ سخت ماحول ۾ چپ جي حفاظت ڪن ٿا.
ان پٽ پن تي وولٹیج جي نگراني ڪندي غلطي جي راءِ کي ڳولي سگھجي ٿو.
• گاڏين جي قابل
• لڪير موجوده حد
• حرارتي بند
• مختصر سرڪٽ تحفظ
• مربوط ڪلمپ
• ان پٽ پن مان ٺهيل گھٽ ڪرنٽ
• ان پٽ پن ذريعي تشخيصي موٽ
• ESD تحفظ
• پاور MOSFET جي دروازي تائين سڌو رسائي (اينالاگ ڊرائيونگ)
• معياري پاور MOSFET سان مطابقت
• معياري TO-220 پيڪيج
• 2002/95/EC يورپي هدايتن سان تعميل
